0 0 0
  8. SIHH14N65E-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHH14N65E-T1-GE3

 
SIHH14N65E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 38А; 56Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
428.17 грн
4+
306.85 грн
9+
290.20 грн
500+
285.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
10А(1441290)
Опір в стані провідності
0,26Ом(1596288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
56Вт(1520819)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
96нКл(1609970)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
38А(1825889)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH14N65E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 38А; 56Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
428.17 грн
4+
306.85 грн
9+
290.20 грн
500+
285.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
10А
Опір в стані провідності
0,26Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
56Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
96нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
38А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g