0 0 0
  8. SIHH14N65EF-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHH14N65EF-T1-GE3

 
SIHH14N65EF-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778301
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 9,5А; Idm: 36А; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
440.06 грн
4+
315.57 грн
9+
298.13 грн
500+
293.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
9,5А(1479197)
Опір в стані провідності
271мОм(1936738)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
156Вт(1741756)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
98нКл(1632637)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
36А(1742465)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH14N65EF-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778301
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 9,5А; Idm: 36А; 156Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
440.06 грн
4+
315.57 грн
9+
298.13 грн
500+
293.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
9,5А
Опір в стані провідності
271мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
156Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
98нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
36А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g