Транзистори з каналом N SMD SIHH180N60E-T1-GE3

 
SIHH180N60E-T1-GE3
 
Артикул: 778388
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; Idm: 44А; 114Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
381.38 грн
4+
272.76 грн
10+
257.69 грн
500+
253.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
12А(1441370)
Опір в стані провідності
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
114Вт(1741844)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
33нКл(1479084)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
44А(1789214)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH180N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778388
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; Idm: 44А; 114Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
381.38 грн
4+
272.76 грн
10+
257.69 грн
500+
253.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
12А
Опір в стані провідності
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
114Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
33нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
44А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g