0 0 0
  8. SIHH28N60E-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHH28N60E-T1-GE3

 
SIHH28N60E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778534
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 76А; 202Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
535.10 грн
3+
385.75 грн
8+
364.19 грн
500+
357.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
19А(1479258)
Опір в стані провідності
98мОм(1479060)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
202Вт(1942535)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
129нКл(1960016)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
76А(1801381)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHH28N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778534
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 19А; Idm: 76А; 202Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
535.10 грн
3+
385.75 грн
8+
364.19 грн
500+
357.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
19А
Опір в стані провідності
98мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
202Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
129нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
76А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g