0 0 0
  8. SIHJ240N60E-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHJ240N60E-T1-GE3

 
SIHJ240N60E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778648
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 30А; 89Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
196.29 грн
5+
176.42 грн
8+
141.46 грн
20+
133.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
0,24Ом(1492482)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
89Вт(1708594)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23нКл(1479059)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHJ240N60E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778648
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 30А; 89Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
196.29 грн
5+
176.42 грн
8+
141.46 грн
20+
133.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
0,24Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
89Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g