Транзисторы с каналом N SMD SIHK045N60EF-T1GE3

 
SIHK045N60EF-T1GE3
 
Артикул: 778340
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 133А; 278Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
951.84 грн
2+
684.88 грн
4+
647.54 грн
5+
646.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1012(1960188)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
278Вт(1741771)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
105нКл(1633312)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
133А(1936812)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHK045N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 778340
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 133А; 278Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
951.84 грн
2+
684.88 грн
4+
647.54 грн
5+
646.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1012
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
278Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
105нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
133А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g