Транзисторы с каналом N SMD SIHK075N60EF-T1GE3

 
SIHK075N60EF-T1GE3
 
Артикул: 778547
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
633.24 грн
3+
454.47 грн
6+
429.84 грн
500+
422.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 1012(1960188)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
71мОм(1702171)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
192Вт(1740762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
72нКл(1479338)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
97А(1950929)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHK075N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 778547
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
633.24 грн
3+
454.47 грн
6+
429.84 грн
500+
422.69 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 1012
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
71мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
192Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
72нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
97А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g