0 0 0
  8. SIHK125N60EF-T1GE3

Транзисторы с каналом N SMD SIHK125N60EF-T1GE3

 
SIHK125N60EF-T1GE3
 
VISHAY
Артикул: 847111
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
298.74 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
132Вт(1520845)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
45нКл(1609966)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
54А(1742463)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIHK125N60EF-T1GE3
VISHAY
Артикул: 847111
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
298.74 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
132Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
45нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
54А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g