0 0 0
  8. SIHL510STRL-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHL510STRL-GE3

 
SIHL510STRL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778374
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 18А; 43Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
42.75 грн
25+
37.66 грн
30+
34.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
760мОм(1643337)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
43Вт(1740778)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
6,1нКл(1479080)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
18А(1741667)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHL510STRL-GE3
VISHAY
Артикул: 778374
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 18А; 43Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
42.75 грн
25+
37.66 грн
30+
34.17 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
760мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
43Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
6,1нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
18А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g