0 0 0
  8. SIHL530STRR-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIHL530STRR-GE3

 
SIHL530STRR-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778570
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; Idm: 60А; 88Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.10 грн
5+
65.95 грн
19+
52.44 грн
52+
50.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
88Вт(1741738)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
28нКл(1479173)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHL530STRR-GE3
VISHAY
Артикул: 778570
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11А; Idm: 60А; 88Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
73.10 грн
5+
65.95 грн
19+
52.44 грн
52+
50.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
88Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
28нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g