Транзистори з каналом N SMD SIHLR110TR-GE3

 
SIHLR110TR-GE3
 
Артикул: 778346
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
32.42 грн
25+
29.24 грн
43+
23.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
2,7А(1492297)
Опір в стані провідності
760мОм(1643337)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
6,1нКл(1479080)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
17А(1811009)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIHLR110TR-GE3
VISHAY
Артикул: 778346
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.80 грн
5+
32.42 грн
25+
29.24 грн
43+
23.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
2,7А
Опір в стані провідності
760мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
6,1нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
17А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g