0 0 0
  8. SIHP050N60E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHP050N60E-GE3

 
SIHP050N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780586
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 32А; Idm: 155А; 278Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
786.06 грн
2+
561.92 грн
5+
530.93 грн
500+
524.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
32А(1441566)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
278Вт(1741771)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
130нКл(1479431)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
155А(1826060)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHP050N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 780586
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 32А; Idm: 155А; 278Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
786.06 грн
2+
561.92 грн
5+
530.93 грн
500+
524.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
32А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
278Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
130нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
155А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g