0 0 0
  8. SIHP11N80AE-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHP11N80AE-GE3

 
SIHP11N80AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780682
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
151.53 грн
5+
136.38 грн
10+
107.67 грн
26+
101.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
78Вт(1708589)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
42нКл(1478958)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
22А(1801380)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHP11N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 780682
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
151.53 грн
5+
136.38 грн
10+
107.67 грн
26+
101.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
78Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
42нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
22А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g