0 0 0
  8. SIHP12N50E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHP12N50E-GE3

 
SIHP12N50E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780663
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,6А; Idm: 121А; 114Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
128.29 грн
5+
115.54 грн
12+
89.25 грн
31+
84.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 489 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
6,6А(1479161)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
114Вт(1741844)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
50нКл(1479381)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
121А(1826876)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,964 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHP12N50E-GE3
VISHAY
Артикул: 780663
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,6А; Idm: 121А; 114Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
128.29 грн
5+
115.54 грн
12+
89.25 грн
31+
84.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 489 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
6,6А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
114Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
50нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
121А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,964 g