0 0 0
  8. SIHP21N80AE-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHP21N80AE-GE3

 
SIHP21N80AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780677
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
331.78 грн
5+
235.28 грн
12+
222.51 грн
500+
220.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
11А(1479209)
Опір в стані провідності
0,235Ом(1737213)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
179Вт(1741798)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
72нКл(1479338)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
38А(1825889)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHP21N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 780677
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 11А; Idm: 38А; 179Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
331.78 грн
5+
235.28 грн
12+
222.51 грн
500+
220.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
11А
Опір в стані провідності
0,235Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
179Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
72нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
38А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g