0 0 0
  8. SIHU2N80E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHU2N80E-GE3

 
SIHU2N80E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780486
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.49 грн
5+
90.92 грн
14+
71.78 грн
38+
67.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005) TO251(1492057)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
1,8А(1492260)
Опір в стані провідності
2,75Ом(1743215)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62,5Вт(1702079)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
19,6нКл(1775144)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
5А(1790204)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHU2N80E-GE3
VISHAY
Артикул: 780486
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,8А; Idm: 5А; 62,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.49 грн
5+
90.92 грн
14+
71.78 грн
38+
67.79 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Корпус
TO251
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
1,8А
Опір в стані провідності
2,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
19,6нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g