0 0 0
  8. SIHU3N50D-GE3

Транзисторы с каналом N THT SIHU3N50D-GE3

 
SIHU3N50D-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780634
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.24 грн
5+
45.80 грн
25+
41.08 грн
31+
33.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005) TO251(1492057)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
1,9А(1479102)
Опір в стані провідності
3,2Ом(1512592)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69Вт(1708603)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
5,5А(1884196)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SIHU3N50D-GE3
VISHAY
Артикул: 780634
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,9А; Idm: 5,5А; 69Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.24 грн
5+
45.80 грн
25+
41.08 грн
31+
33.05 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Корпус
TO251
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
1,9А
Опір в стані провідності
3,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
12нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
5,5А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g