0 0 0
  8. SIHU5N50D-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHU5N50D-GE3

 
SIHU5N50D-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780509
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.95 грн
10+
50.61 грн
24+
42.11 грн
65+
39.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005) TO251(1492057)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
3,4А(1479117)
Опір в стані провідності
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20нКл(1479267)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHU5N50D-GE3
VISHAY
Артикул: 780509
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,4А; Idm: 10А; 104Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
65.95 грн
10+
50.61 грн
24+
42.11 грн
65+
39.73 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Корпус
TO251
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
3,4А
Опір в стані провідності
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g