0 0 0
  8. SIHU6N62E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHU6N62E-GE3

 
SIHU6N62E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780551
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; IPAK,TO251
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.37 грн
5+
82.63 грн
16+
65.95 грн
42+
61.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005) TO251(1492057)
Напруга сток-джерело
620В(1609987)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
78Вт(1708589)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
34нКл(1479140)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
12А(1741665)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHU6N62E-GE3
VISHAY
Артикул: 780551
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 620В; 4А; Idm: 12А; 78Вт; IPAK,TO251
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.37 грн
5+
82.63 грн
16+
65.95 грн
42+
61.97 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Корпус
TO251
Напруга сток-джерело
620В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
78Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
34нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
12А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g