0 0 0
  8. SIHU6N80AE-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHU6N80AE-GE3

 
SIHU6N80AE-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780473
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
94.11 грн
5+
84.54 грн
15+
66.99 грн
41+
63.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005) TO251(1492057)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,2А(1492373)
Опір в стані провідності
0,95Ом(1492414)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62,5Вт(1702079)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
22,5нКл(1936830)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHU6N80AE-GE3
VISHAY
Артикул: 780473
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,2А; Idm: 10А; 62,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
94.11 грн
5+
84.54 грн
15+
66.99 грн
41+
63.01 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Корпус
TO251
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,2А
Опір в стані провідності
0,95Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
22,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g