0 0 0
  8. SIHU7N60E-GE3

Транзистори з каналом N THT SIHU7N60E-GE3

 
SIHU7N60E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 780497
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
115.64 грн
5+
104.48 грн
12+
82.15 грн
33+
77.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005) TO251(1492057)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
78Вт(1708589)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
18А(1741667)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT SIHU7N60E-GE3
VISHAY
Артикул: 780497
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5А; Idm: 18А; 78Вт; IPAK,TO251
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
115.64 грн
5+
104.48 грн
12+
82.15 грн
33+
77.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Корпус
TO251
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
78Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
40нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
18А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g