0 0 0
  8. SIJ128LDP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIJ128LDP-T1-GE3

 
SIJ128LDP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846855
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 25,5А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
72.32 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
25,5А(1634372)
Опір в стані провідності
20,3мОм(1632968)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
22,3Вт(1741954)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIJ128LDP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846855
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 25,5А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
72.32 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
25,5А
Опір в стані провідності
20,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
22,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
30нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g