0 0 0
  8. SIJ150DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIJ150DP-T1-GE3

 
SIJ150DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847035
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 45В; 110А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
54.82 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
45В(1441651)
Струм стока
110А(1479508)
Опір в стані провідності
4,1мОм(1479546)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
65,7Вт(1986240)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
70нКл(1479303)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIJ150DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847035
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 45В; 110А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
54.82 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
45В
Струм стока
110А
Опір в стані провідності
4,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
65,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
70нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g