0 0 0
  8. SIJ186DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIJ186DP-T1-GE3

 
SIJ186DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846956
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 79,4А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
59.59 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
79,4А(1986241)
Опір в стані провідності
7,8мОм(1479522)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
57Вт(1632300)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
37нКл(1479234)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIJ186DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846956
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 79,4А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
59.59 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
79,4А
Опір в стані провідності
7,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
57Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
37нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g