0 0 0
  8. SIJ470DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIJ470DP-T1-GE3

 
SIJ470DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846947
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 58,8А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
50.85 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
58,8А(1986243)
Опір в стані провідності
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
56,8Вт(1741949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
56нКл(1479440)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIJ470DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846947
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 58,8А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
50.85 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
58,8А
Опір в стані провідності
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
56,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
56нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g