0 0 0
  8. SIJH5100E-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIJH5100E-T1-GE3

 
SIJH5100E-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846889
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 277А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
311.48 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® 8x8L(1737200)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
277А(1959987)
Опір в стані провідності
2,14мОм(1986245)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
333Вт(1741825)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
128нКл(1742999)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
500А(1714522)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIJH5100E-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846889
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 277А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
311.48 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® 8x8L
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
277А
Опір в стані провідності
2,14мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
333Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
128нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
500А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g