0 0 0
  8. SIR1309DP-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIR1309DP-T1-GE3

 
SIR1309DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842621
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -65,7А; 56,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
33.22 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-65,7А(1986079)
Опір в стані провідності
13мОм(1479176)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
56,8Вт(1741949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
87нКл(1478994)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-150А(1952566)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIR1309DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842621
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -65,7А; 56,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
33.22 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-65,7А
Опір в стані провідності
13мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
56,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
87нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g