0 0 0
  8. SIR186LDP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR186LDP-T1-RE3

 
SIR186LDP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846865
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 80,3А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
121.56 грн
10+
97.25 грн
25+
80.88 грн
28+
36.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5958 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
80,3А(1986254)
Опір в стані провідності
6,3мОм(1479278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
57Вт(1632300)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
48нКл(1479306)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,165 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR186LDP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846865
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 80,3А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
121.56 грн
10+
97.25 грн
25+
80.88 грн
28+
36.23 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 5958 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
80,3А
Опір в стані провідності
6,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
57Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
48нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,165 g