0 0 0
  8. SIR403EDP-T1-GE3

Транзистори з каналом P SMD SIR403EDP-T1-GE3

 
SIR403EDP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842593
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -40А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
37.10 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-40А(1478950)
Опір в стані провідності
11,5мОм(1599561)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
56,8Вт(1741949)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
153нКл(1712989)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-60А(1811034)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIR403EDP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 842593
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -40А; Idm: -60А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
37.10 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-40А
Опір в стані провідності
11,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
56,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
153нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g