0 0 0
  8. SIR410DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIR410DP-T1-GE3

 
SIR410DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846977
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
49.68 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
35А(1441492)
Опір в стані провідності
6,3мОм(1479278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
36Вт(1607952)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
41нКл(1479238)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR410DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846977
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
49.68 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
35А
Опір в стані провідності
6,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
41нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g