0 0 0
  8. SIR424DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIR424DP-T1-GE3

 
SIR424DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846984
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 30А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
42.81 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
7,4мОм(1758581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
41,7Вт(1775254)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
35нКл(1479287)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
70А(1759384)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR424DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846984
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 30А; Idm: 70А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
42.81 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
7,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
41,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
35нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
70А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g