0 0 0
  8. SIR470DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIR470DP-T1-GE3

 
SIR470DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947622
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
202.49 грн
10+
101.64 грн
27+
96.08 грн
1000+
94.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
2,3мОм(1479289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
66,6Вт(1811055)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
155нКл(1479498)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR470DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 947622
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
202.49 грн
10+
101.64 грн
27+
96.08 грн
1000+
94.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
2,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
66,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
155нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g