0 0 0
  8. SIR474DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIR474DP-T1-GE3

 
SIR474DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 847030
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 20А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
38.30 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
29,8Вт(1986251)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
27нКл(1479063)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR474DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 847030
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 20А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
38.30 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
29,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
27нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g