0 0 0
  8. SIR510DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR510DP-T1-RE3

 
SIR510DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846966
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 126А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
103.03 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
126А(1826042)
Опір в стані провідності
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
81нКл(1479445)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR510DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846966
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 126А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
103.03 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
126А
Опір в стані провідності
4,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
81нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g