0 0 0
  8. SIR576DP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR576DP-T1-RE3

 
SIR576DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847121
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 42,2А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
58.00 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
42,2А(1986265)
Опір в стані провідності
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
71.4W(1951989)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR576DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847121
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 42,2А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
58.00 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
42,2А
Опір в стані провідності
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
71.4W
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
38нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g