0 0 0
  8. SIR580DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR580DP-T1-RE3

 
SIR580DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846967
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 146А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.18 грн
10+
106.22 грн
11+
95.04 грн
29+
90.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
146А(1758580)
Опір в стані провідності
3,2мОм(1479539)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
76нКл(1479401)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR580DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846967
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 146А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.18 грн
10+
106.22 грн
11+
95.04 грн
29+
90.25 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
146А
Опір в стані провідності
3,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
76нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g