0 0 0
  8. SIR582DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR582DP-T1-RE3

 
SIR582DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846960
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 116А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
73.12 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
116А(1492365)
Опір в стані провідності
3,9мОм(1479558)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
92,5Вт(1986264)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
67нКл(1643344)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
300А(1714520)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR582DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846960
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 116А; Idm: 300А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
73.12 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
116А
Опір в стані провідності
3,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
92,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
67нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
300А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g