0 0 0
  8. SIR606BDP-T1-RE3

Транзисторы с каналом N SMD SIR606BDP-T1-RE3

 
SIR606BDP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 847107
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 38,7А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
64.36 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
38,7А(1986268)
Опір в стані провідності
20,5мОм(1801456)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62,5Вт(1702079)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SIR606BDP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 847107
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 38,7А; Idm: 80А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
64.36 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
38,7А
Опір в стані провідності
20,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
30нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g