0 0 0
  8. SIR618DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIR618DP-T1-GE3

 
SIR618DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846860
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 14,2А; Idm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
50.86 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
14,2А(1960021)
Опір в стані провідності
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
48Вт(1699155)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21,5нКл(1694965)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR618DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846860
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 14,2А; Idm: 30А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
50.86 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
14,2А
Опір в стані провідності
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
48Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g