0 0 0
  8. SIR626LDP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR626LDP-T1-RE3

 
SIR626LDP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846918
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 186А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
121.59 грн
10+
103.31 грн
25+
96.95 грн
100+
93.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
186А(1986273)
Опір в стані провідності
2,1мОм(1479565)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
135нКл(1632961)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
400А(1714521)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR626LDP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846918
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 186А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
121.59 грн
10+
103.31 грн
25+
96.95 грн
100+
93.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
186А
Опір в стані провідності
2,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
135нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
400А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g