0 0 0
  8. SIR632DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR632DP-T1-RE3

 
SIR632DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846943
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 29А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
114.21 грн
10+
107.82 грн
15+
67.89 грн
41+
63.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
29А(1479295)
Опір в стані провідності
41мОм(1479050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
69,5Вт(1986274)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
50А(1758516)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR632DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846943
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 29А; Idm: 50А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
114.21 грн
10+
107.82 грн
15+
67.89 грн
41+
63.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
29А
Опір в стані провідності
41мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
69,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
50А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g