0 0 0
  8. SIR638DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIR638DP-T1-GE3

 
SIR638DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846922
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 100А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
100.90 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
1,16мОм(1512602)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
204нКл(1739106)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
400А(1714521)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR638DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846922
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 100А; Idm: 400А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
100.90 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
1,16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
204нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
400А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g