0 0 0
  8. SIR681DP-T1-RE3

Транзистори з каналом P SMD SIR681DP-T1-RE3

 
SIR681DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 842639
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -71,9А; 104Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
118.20 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
-80В(1536865)
Струм стока
-71,9А(1986080)
Опір в стані провідності
16,7мОм(1936833)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
104Вт(1520829)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
105нКл(1633312)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-125А(1986071)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SIR681DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 842639
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -71,9А; 104Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
118.20 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
-80В
Струм стока
-71,9А
Опір в стані провідності
16,7мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
104Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
105нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-125А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g