0 0 0
  7. SIR770DP-T1-GE3

Транзистори багатоканальні SIR770DP-T1-GE3

 
SIR770DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 846844
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
56.41 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
8А(1441287)
Опір в стані провідності
25мОм(1441552)
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky(1811165)
Потужність розсіювання
17,8Вт(1785140)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
21нКл(1478964)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
35А(1789211)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SIR770DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 846844
Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 8А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
56.41 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
8А
Опір в стані провідності
25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2 + Schottky
Потужність розсіювання
17,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
21нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
35А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g