0 0 0
  8. SIR800ADP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR800ADP-T1-RE3

 
SIR800ADP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846859
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 177А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
35.21 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
177А(1985922)
Опір в стані провідності
4,6мОм(1478952)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62,5Вт(1702079)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
53нКл(1479049)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
150А(1758586)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR800ADP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846859
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 177А; Idm: 150А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
35.21 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
177А
Опір в стані провідності
4,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
53нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
150А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g