0 0 0
  8. SIR876BDP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIR876BDP-T1-RE3

 
SIR876BDP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 846974
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 51,4А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
54.31 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
51,4А(1985924)
Опір в стані провідності
12,3мОм(1501024)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
71.4W(1951989)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
65нКл(1479501)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
120А(1741681)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIR876BDP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 846974
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 51,4А; Idm: 120А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
54.31 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
51,4А
Опір в стані провідності
12,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
71.4W
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
65нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g