0 0 0
  8. SIRA06DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIRA06DP-T1-GE3

 
SIRA06DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778568
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.60 грн
5+
49.59 грн
25+
43.71 грн
26+
39.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
3,5мОм(1441303)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
40Вт(1628442)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
77нКл(1479494)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRA06DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778568
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.60 грн
5+
49.59 грн
25+
43.71 грн
26+
39.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
3,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
40Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
77нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g