0 0 0
  8. SIRA10DP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIRA10DP-T1-GE3

 
SIRA10DP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778544
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.60 грн
5+
53.24 грн
24+
42.91 грн
65+
40.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
26Вт(1741903)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-16...20В(1979872)
Струм стоку в імпульсі
140А(1759379)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRA10DP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778544
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 60А; Idm: 140А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.60 грн
5+
53.24 грн
24+
42.91 грн
65+
40.53 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
26Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
51нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-16...20В
Струм стоку в імпульсі
140А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g