0 0 0
  8. SIRA20BDP-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SIRA20BDP-T1-GE3

 
SIRA20BDP-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 778493
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 268А; Idm: 350А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.92 грн
5+
90.59 грн
14+
73.11 грн
38+
69.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
268А(1826068)
Опір в стані провідності
820мкОм(1960061)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
67Вт(1741948)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
186нКл(1479564)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-12...16В(1979763)
Струм стоку в імпульсі
350А(1811067)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRA20BDP-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 778493
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 268А; Idm: 350А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
100.92 грн
5+
90.59 грн
14+
73.11 грн
38+
69.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
268А
Опір в стані провідності
820мкОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
67Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
186нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-12...16В
Струм стоку в імпульсі
350А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g