0 0 0
  8. SIRA20DP-T1-RE3

Транзистори з каналом N SMD SIRA20DP-T1-RE3

 
SIRA20DP-T1-RE3
 
VISHAY
Артикул: 778465
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 100А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
135.88 грн
5+
121.58 грн
11+
97.74 грн
29+
92.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напруга сток-джерело
25В(1441346)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
820мкОм(1960061)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
66,6Вт(1811055)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
200нКл(1479291)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-12...16В(1979763)
Струм стоку в імпульсі
500А(1714522)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SIRA20DP-T1-RE3
VISHAY
Артикул: 778465
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 25В; 100А; Idm: 500А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
135.88 грн
5+
121.58 грн
11+
97.74 грн
29+
92.18 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напруга сток-джерело
25В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
820мкОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
66,6Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
200нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-12...16В
Струм стоку в імпульсі
500А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g